gtr是电力晶体管。电力晶体管按英文gtr，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂，驱动功率大，GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，产生于上个世纪70年代，其额定值已达18...

是智能功率模块。是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的...

GTR:电力晶体管Giant Transistor GTO:门级可关断晶闸管 Gate Turn-Off Thyristor SIT：静态感应晶体管Static Induction Transistor IGBT:绝缘栅双极晶闸管Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET：金属氧化物场效应管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor SITH:静电感应晶体管Static Induction Thyri...

MOSFET （电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小。MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝...

目前常用的全控型电力电子器件包括以下这些：1、GTO（门极可关断晶闸管）。2、GTR（电力晶体管）。3、MOSFET（电力场效应晶体管）。4、IGBT（绝缘栅双极晶体管）。5、这些全控型电力电子器件在电力电子技术中有着广泛的应用，如GTO主要用于一些特大容量场合，IGBT主要应用在电机控制，中频电源，开关电源...

GTR 是三极管的一种，Giant Transistor，巨型晶体管由于可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。BJT 也是三极管的一种，Bipolar Junction Transistor，双极型面接触晶体管。

单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变...

GTR是巨型晶体管或称功率晶体管。从它的电路符号可见它与普通晶体管工作原理上是一样的，只是其制造工艺和功率大小不同。MOSFET是场效应管。它是一种单极性（只有一种载流子）元件，而前两者是双极性（有电子与空穴两种载流子参与导电）元件。它的导通是靠在栅极上加一定的电压，使源极与漏极之间形成...

一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：1、半控型器件，例如晶闸管；2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；3、不可控器件，例如电力二极管。二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号...

IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿...