空晶格模型和能带填充在这个转变中扮演着重要角色。习题中，二维正方晶格的布里渊区边界能隙宽度计算，不仅考验着我们的数学技能，更考验对理论的理解。同时，单一原子晶体如何从导体转变为绝缘体，以及Bloch定理在实际应用中的复杂性，都是拓宽视野的重要课题。最后，金属的半满能带理论看似简单，但在晶格常...

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导体(conductor),导体比较典型的是金属,能带在Fermi面附近是连续分布,主要由于金属d,s以及p轨道之间能级重叠导致了Fermi面能带的联系分布,金属电导的好坏不仅仅是看Fermi附近是不是存在可供电子跃迁的能级,还要看这些能级是不是扩展态(extended or delocalized states),如果是定域态(localized)那么及时Fermi附近呈现Metall...

纯的SnO2导电性能差,经过适当的掺杂处理后则具有半导体性质。根据能带理论的能级模型,当禁带宽度降到一定程度时,室温下,热能(晶格振动)就可使电子跃迁到导带而实现导电。在半导体每单位体积的载流子数一般比每一单位体积的原子数要少得多。绝缘体、半导体与导体的能级模型如图1所示。 图1 绝缘体、半导体及导体的能带...

能带理论的最大成就是它能够解释半导体现象。原来在半导体中，能带也是满带，但是一个满带和空带之间的能隙很小，或者有交叠。这样它就容易在外界作用（如光照、升温等）下发生跃迁而形成两个导带，从而发生导电现象。但它的导电性能比导体要差得多。能带结构理论是在自由电子模型的基础上发展起来的。在...

要是你不懂这个标准模型的话,第三代半导体,你也就是连入门都说不上了。 不知道老师们懂不懂这个啊。 01 首先简介一下第三代半导体 1. 导体和半导体 量子力学认为,组成物质的原子是由原子核和电子组成的,电子以电子轨道的方式在核外运动。 原子和原子组成物体时,会有很多相同的电子混在一起,这个相...

1)肖脱基缺陷 由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-...

这个关系可以用金属的能带模型来解释。在能带模型中，金属的导电性能取决于电子的能量状态。在低温下，大多数电子处于低能级状态，因此电流可以通过这些电子流动。但随着温度的升高，更多的电子获得能量并跃迁到高能级状态，这些电子不能参与导电，因此导致电阻增加。一些非金属材料（如半导体）的电阻随温度的...

能带理论在阐明电子在晶格中的运动规律、固体的导电机构、合金的某些性质和金属的结合能等方面取得了重大成就，但它毕竟是一种近似理论，存在一定的局限性。例如某些晶体的导电性不能用能带理论解释，即电子共有化模型和单电子近似不适用于这些晶体。多电子理论建立后，单电子能带论的结果常作为多电子理论的...

能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。为什么要取K点呢？因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。按照对称性取K点，可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。能带图横坐标是K点，其实就是倒格空间中的几何点。其中最重要也最简单的就是gamma那个点，因为这个点在任何几何结构...

当然在这个基础上，我们可以对这个有效哈密顿量做格点离散化，以方便我们用实空间处理的方法处理。具体张的论文里也介绍了。其实就是把k看成sink,k^2看成cosk然后sink可以用e^{ik}+e^{-ik}/2这就可以和实空间联系起来了。另外一个思路可以把张的哈密顿量看成两个传播方向不同的霍尔丹模型。