，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在...

第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、长和窄锁闩选项，可...

铁电存储器的写入过程无需高电压，仅需常规工作电压，因此没有擦写延迟，即使在断电后也能保持数据，具有极快的写入速度和无限次写入寿命，不易损坏，这使其在性能上优于早期的非易失性内存技术，如闪存和EEPROM。

铁电是属于非易失性的，可上百万次读写的存储，存储的原理类似于DRAM,由一个NMOS管，和一个CAP组成，可以参考一本COMS数字集成电路（第二版），那上面讲的很详细，在芯片里面就是有行译码，列译码，读出写入缓冲器，位读出放大器组成。它的的读出写入时序很简单，只要按照加电压的顺序来就可以，要预...

你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。

铁电存储器FRAM的数据存储机制与众不同，它不是通过电容上的电荷来保存信息，而是依赖于存储单元电容中嵌入的铁电晶体中心原子的位置。实际的读操作并非直接检测原子位置，而是通过施加已知电场（即对电容充电）来判断。当晶体中心原子的初始位置与电场方向一致时，原子不会移动，导致充电波形无明显变化；反之...

铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态...

SDRAM)、双倍速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM)、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。4、按系统逻辑可以分类为扩充内存、扩展内存、高端内存区、上位内存、影子内存。5、其他类型可以分类为静态随机存储器(SRAM)、RDRAM、XDR RAM、铁电存储器(Fe-RAM)、磁性存储器(MRAM)、相变存储器(OUM)。

与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的。

非易失性内存，即使在断电后也能保持数据不丢失，这是其显著特点。然而，它们的基础技术都源于早期的只读存储器（ROM）。ROM中的信息是固定的，无法修改，这导致了基于ROM发展起来的非易失性存储器如EPROM（已基本淘汰）、EEPROM和Flash存在诸多不足。它们在写入数据时效率低，需要较长的时间，且擦写次数...

电表的精度不但与检测芯片的精度有关，更重要与其存储方式有很大的关系，如果检测到的电量数据不能写入存储器或者写入存储器过程出错，电表的精度就大大降低。以前电表数据的存储方式有2种选择：1）用存储EEPROM数据；2）用NVRAM存储数据。现在有了第三种选择：用铁电存储器（FRAM）存储数据 ...