光学镜片抛光光圈不圆是什么原因
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发布时间：2022-05-27 12:16
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时间：2023-10-21 19:10
抛光粉抛光是为了使材料表面达到平整化的方式。传统的材料平面化技术较多，如热流法、回蚀法、旋转式玻璃法、电子环绕共振法、低压CVD、选择淀积、淀积一腐蚀一淀积、等离子增强CVD等，这些技术材料平面化工艺发展中都曾被应用，由于这些技术都属于材料的局部平面化技术，为了能达到全局平面化，使用抛光粉做化学机械抛光技术逐步开始发展。
在上世纪的60年代起，使用抛兴粉化学机械抛光技术应用于硅衬底片的平坦化，从80年代末期开始，CMP大规模用于集成电路的ULSI抛光，目前的CMP不仅能保证超高平坦化要求，还能减少表面去除量，现在CMP研究的热门是关于超薄膜的去除和平坦化。从CMP设备的发展来看，最初的CMP机台是单头工作的，且效率较低、自动化程度较差，目前的CMP台己有多个机头，可保证抛光的效率，近期日本的一些公司还研发了线性抛光机台。
使用抛光粉做化学机械抛光是一种兼顾化学抛光和机械抛光二者优点的一种坦化工艺技术[m-19}CMP过程可简单归结为:在抛光垫和抛光粉的作用下，首先由于抛光粉的化学作用使材料表面薄层部分被软化，随后在抛光粉、抛光垫的机械作用下将其去除，从而实现工件表面的高速平坦化。整个过程涉及抛光机台和抛光消耗品，主要消耗品包括抛光粉和抛光垫，大约占据CMP总成本的60% o CMP机理与抛光粉中的化学分密切相关，抛光材料影响着CMP抛光速率和表面缺陷。
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时间：2023-10-21 19:10
