半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子，那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍？

发布网友发布时间：2022-05-25 13:50

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热心网友时间：2023-11-03 01:48

电子与空穴的定向运动都会引起电流，同时也要考虑PN结的电子空穴复合。

例如给出的下图，红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合。

假若N区有六个单位电子的浓度要向左扩散，结果在X1处的地方复合掉了一个单位的电子浓度（电子空穴对成对复合），那么到达X1处界面右边是六个单位电子浓度，X1处左边是五个单位电子浓度，一个单位空穴浓度。所以引起的总电流（电子漂移电流+空穴漂移电流）是一样的，都是六个单位。再例如，假设Xn处也有一个单位电子空穴复合，Xn右边四个电子浓度，两个空穴浓度扩散运动；左边三个电子浓度，三个空穴浓度扩散，总电流也还是六个单位浓度。

热心网友时间：2023-11-03 01:49

电流是指单位时间内在单位横截面内流过正电荷的电荷量，即I=Q/T。半导体内虽然是多数载流子在流动，载流子有正有负，但总的计算还是看正电荷的数量，也就是空穴的数量，因此还是以欧姆定律计算的电流，电阻，何况半导体的伏安特性在线性状态下和普通电阻的伏安特性一样的。半导体做整流二极管的时候增加的是电压倍数，而不是增加电流的大小