两级阻容耦合放大电路中电阻值和电容的计算
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发布时间：2022-04-22 04:43
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时间：2023-09-27 03:18
通常需要考虑晶体管的动态工作范围及晶体管耗散功率等因素。
在电路中晶体管的消耗功率约为集电极电流×集电极发射极间的电压。晶体管必须工作在远低于允许的耗散功率以下。
如果晶体管的静太电流确定了，就必须控制晶体管的Uce大小。这就要选择适当的集电极电阻和发射极电阻进行分压。
比如上图中的T1静太电流大约是1.2毫安，则晶体管Uce＝12－1.2×4.1＝7.8V，静态功率就是8.5毫瓦。
R1与R2是基极静态工作点分压电阻，
比值的计算是：基极电压＝发射极电流×R4＋0.7＝12V×R2/(R1＋R2)
阻值的大小则要考虑输入阻抗的要求，计算方法是：输入阻抗＝R1∥R2∥(β×R4)
由于发射极电阻的存在，电路有自适应能力，所以基极的分压电阻不需要非常精确的计算，取大概值就可以了。假如计算的值是47kΩ选42kΩ－50kΩ也不会有太大问题，一般选用最接近计算值的标称阻值就可以。发射极电阻越大电路越稳定，电路设计取值越宽松。发射极电阻越小，计算就需要越精确。如果没有发射极电阻时，就要根据晶体管的β值精确的计算基极电流。
偶合电容的计算，偶合电容与设计的最低工作频率有关。在音频放大电路中把功率下降到1000Hz时功率的50%时的频率称为截止频率。在其他宽带放大电路中把相对中心频率的功率下降50%时的频率称为截止频率。
比如高品质音频放大器中最低频率一般选16－20Hz，而普通收音机的音频放大电路中最低频率取50Hz，而电话的音频放大电路最低频率取300－800都可以。一般的说就是对所需要的最低频率来说，输入电阻与容抗之比要大于0.707。即偶合到下一级的功率不能低于50%。（多级放大时要把这一要求分摊到每一级上，各级的偶合比的乘积不能于0.707）。
容抗＝1/ω/C＝1/（2×π×f×C)；
其中f 是最低频率，计算出的电容量是不能小于的值。通常在成本及元件尺寸许可的情况下偶合电容尽量比计算值大一些。电容量越大电容元件的体积越大，但相移越小，低频响应越好，所以要综合考虑。
发射极的旁路电容一般选比偶合电容的10倍左右，也是越大一点越好，但与成本和元件尺寸有关。
如果带宽要求很宽的情况下，比如电视机中的视频放大部份带宽从25Hz－8MHz，由于电解电容内部结构的原因，高频响应比较差，所以电解电容通常还要并联一个小的瓷介电容以提升高频。追问谢谢指导，本人初学还是没有搞懂，希望各位高手能够有步骤的进行推理计算指导。
追答学习晶体管电路需要有一定的基础，首先要了解基本的电路知识，比如电流、电压、电阻、电容、电感，以及欧姆定律等，这些知识必须达到例背如流的境界，否则可能会看不太懂。
此外最好有一点电路等效变换的知识，比如电流源、电压源的互相等效变换，星形、三角形电路的等效变换。这样分析电路时就比较灵活机动了。
对晶体管电路首先要了解晶体管的基本特点：晶体三极管有三个极，分别是基极、发射极和集电极。
晶体管在满足一定条件时，三个极电流的比例是固定的。这就是晶体管有放大作用的原因。
要记住两个最基本的电流关系：发射极电流＝基极电流＋集电极电流；集电极电流÷基极电流＝β，其中β＞＞1。
另外基极和发射极、集电极间，都可以看作二极管，具有单向导电特性。硅基PN结导通电压约0.65V左右，锗基PN结导通电压约为0.25V左右。
晶体管在饱和时，即晶体管集电极电压小到不能让晶体管起放大作用时，集电极－发极电压约为0.3V或更低。此时基极电压高于集电极电压。
晶体管也是非线性器件之一，所谓非线性就是说，晶体管集电极－发射极之间的电压与电流不成正比。
晶体管也是负阻器件之一，所谓负阻，就是在一定条件下（我们叫做晶体管的静态偏置）电阻呈负数形式，即在电路中，集电极－发射极之间的电压高时电流小，电压低时电流大。
晶体管还是有源器件之一，所谓有源器件指在电路中它可以呈现一定的电源的特性。有的时候把晶体管等效成一个电流源更方便分析。
晶体管比较简单，所以，把上面说的这些内容搞清了就对晶体管电路有比较透彻的理解了。
