电路板中如何排查等离子电视MOS管的击穿情况?
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发布时间：2022-05-26 22:11
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时间：2023-11-08 07:32
首先，我们需要了解MOS管是金属氧化物半导体场效应管。MOS管具有导通电阻低，导通压降小，导通发热小，效率高。且是电压型半导体器件，栅极驱动基本不消耗电流，故而设计合理更容易驱动，很多方面三极管性能更优异。
随着加工工艺提高，MOS管耐压更高，内阻更低，电流更大，尤其是高压以及低压MOS管，它们的极限参数做得更高或更低，更受人喜爱。因此，在电路设计，电路板中，非常常见各种MOS管的身影。
MOS管分p沟道MOS管和n沟道MOS管，它们引脚通常按g,d,s排列。对于初学或者应用不熟练的人来说，可以把它暂且理解成电压型的“三极管”，g极对应b极，d极对应c极，s极对应e极。在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。根据以上特点，我们可以对它的击穿情况进行好坏的判断。
我们先根据栅极电阻找到栅极，万用表选择100k档，测量栅极和漏极以及源极的电阻。它们通常在几十到100k以上。再测量漏-源间电阻，正向应较小，反向应在几十千欧以上。如果正向反向都很小，说明该MOS管已经击穿。追问没有操作，测量。感觉跟单独测量步骤一样，是在电路板中直接测量判断击穿与否吗？
