MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型？
发布网友
发布时间：2022-04-22 05:10
共3个回答
热心网友
时间：2023-10-18 12:28
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：
1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；
2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。
N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。
如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。
P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外，其他部分均与NMOS相同。
N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS <= VGS-VT。
在饱和区内： VGS>=VT， VDS >= VGS-VT。
P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。
在饱和区内： VGS<=VT， VDS <= VGS-VT。
热心网友
时间：2023-10-18 12:28
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：
1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；
2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。
N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。
如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。
P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外，其他部分均与NMOS相同。
N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS <= VGS-VT。
在饱和区内：VGS>=VT， VDS >= VGS-VT。
P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。
在饱和区内：VGS<=VT， VDS <= VGS-VT。
热心网友
时间：2023-10-18 12:29
NMOS要在GS为正向电压是导通..PMOS在GS为负电压时导通.
