场效应晶体管有什么特点 场效应晶体管工作原理是什么
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一、场效应晶体管有什么特点
场效应晶体管，即FET，是一种半导体器件。它由源极、漏极和栅极三个区域构成。其特点如下：作为电压控制器件，通过VGS（栅源电压）来调控ID（漏极电流）。控制输入端电流微小，导致其输入电阻极高，范围从10^7到10^12欧姆。利用多数载流子导电，温度稳定性表现优越。组成的放大电路，电压放大系数通常小于三极管。抗辐射能力强。由于避免了杂乱电子扩散导致的散粒噪声，噪声水平较低。
二、场效应晶体管工作原理
场效应晶体管中，栅极与源极间的电压能控制漏极与源极间电流。栅极电压为零时，电流最大，称为饱和状态；电压上升，电流下降，称为截止状态。
场效应晶体管的工作原理在于利用栅极电场调节源极与漏极间电流。当栅极与源极间电压为零时，漏极与源极间电流为I0。栅极电压Vg产生电场，其强度通过公式Vg=Ed/d计算，其中Ed是电场强度，d是栅极与源极间距离。此电场影响电流，使其减至I0*(1-Vg/Vp)，Vp是场效应晶体管特有电压。
