n通道IGBT耐压多少v?

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IGBT的耐压能力，通常称为集电极-发射极电压(V_CE)，是一个关键参数。这一耐压值会根据具体的IGBT型号和设计应用而有所不同。常见的n通道IGBT的耐压值范围如下：
低压IGBT：耐压通常在600V以下，适用于较低电压的应用。
中压IGBT：耐压范围约为600V至1200V，常用于工业控制和电源转换设备中。
高压IGBT：耐压可以达到1700V、3300V甚至更高，用于高压电力传输和大型工业设备中。

热心网友时间：5小时前

20A,600V就是20n的电流600v的电压

N通道IGBT*集电极－发射极击穿电压：600V*集电极电流：45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压Vds:600VGate-SourceVoltage栅源电压Vgs:±30V

ContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12.5APowerDissipation功率损耗Pd:74W

StaticDrain-SourceOn-Resistance导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ0.31QMax0.38Q2JunctionandStorageTemperatureRange温度范围:-55~+150°℃

20N60场效应管/TO-220封装尺寸: