N型半导体与金属中谁的自由电子多?

发布网友发布时间：2022-05-07 19:45

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热心网友时间：2022-07-01 06:15

当然是金属中的自由电子多。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
该半导体中，是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构，提供自由电子。
而金属中每个原子都能够提供自由电子。追问　　肖特基二极管
　　肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

上面是百度来的，上面为什么说金属中的自由电子是极少量的？

追答金属的最外层电子比较活泼，容易脱离原子核的吸引而成为自由电子，在外加电场的作用下更容易导电；在没有外加电场的时候，自由电子的多少跟金属原子束缚电子的能力有关，贵金属一般都是原子结构比较稳定的元素组成，金银的都特别难于其他物质发生反应，不容易失去电子，所以在没有外加电场的时候，其内部自由电子的数量相对较少。
而二极管，在掺入V族元素后，破坏了晶格中硅原子的位置，构成了容易脱离的电子和带正电的空穴，游离的自由电子浓度比贵金属中的浓度大，所以就会发生扩散运动，造成电子向贵金属移动，形成电势差，造成了肖特基势垒。

热心网友时间：2022-07-01 06:15

请记住一点：半导体材料中的载流子密度永远不会有导体大，但永远都会比绝缘体多。不然它就不叫半导体了。