半导体bumping工艺粗略介绍

发布网友发布时间：7小时前

共1个回答

热心网友时间：2024-10-22 18:48

半导体Bumping工艺，起源于20世纪60年代IBM的芯片倒装焊技术，为解决传统引线键合技术的不足而诞生。这一工艺是晶圆级封装（WLP）的基础，通过在晶圆I/O端口Pad上形成焊料凸点，实现了芯片的高效连接。凸点制作方法多样，金属沉积成本高，主要包括UBM沉积和凸点沉积，常用方式有溅射、化学镀和电镀等。

RDL技术则在I/O排布受限时，通过重新布局满足Bumping工艺对焊料球间距的要求，铜材料的RDL是常见选择。工艺发展中，凸点设计不断优化以提升产品可靠性，如纯锡Solder Bump用于低成本产品，铜锡Copper Pillar适用于高端电子产品，而金锡Gold Bump成本高昂，主要用于特定如LCD驱动和军事等领域。

选择合适的Bumping工艺对于WLP技术的广泛应用至关重要，不同的凸点材料和设计策略满足了不同产品的性能和成本需求。这一工艺的早期发展为现代电子产品的微型化和集成化奠定了基础。