P沟道场效应管用法

发布网友 发布时间：2024-10-24 09:42

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热心网友 时间：2024-11-23 01:21

P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有满足的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道场效应的管用法如下：
1.电源通断控制
P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
2.高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
3.低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管

热心网友 时间：2024-11-23 01:21

P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有满足的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道场效应的管用法如下：
1.电源通断控制
P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
2.高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
3.低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管

热心网友 时间：2024-11-23 01:22

P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有满足的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道场效应的管用法如下：
1.电源通断控制
P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
2.高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
3.低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管