应变硅技术(2)
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发布时间：2024-10-17 19:12
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时间：2024-11-29 23:40
深入探索应变硅技术的两大核心进展：SiGe与SiC
在上文中我们领略了SMT和CESL的魅力，今天我们将目光转向应变硅技术的另外两大重要分支——SiGe与SiC工艺。这两种技术在工艺流程上虽有相似之处，却各自展现了独特的性能优势。
嵌入式SiGe工艺的匠心独运
SiGe技术在90nm及以下的应力工程中大放异彩。得益于锗硅晶格常数的差异（硅5.43095A，锗5.6533A），嵌入源漏区的SiGe能提升PMOS空穴的迁移率和饱和电流。工艺过程包括:
首先，沉积一层SiO2作为SiGe外延生长的保护屏障。
接着，精准去除PMOS区域的SiO2，形成特定的凹槽结构。
然后，在PMOS源漏区域进行SiGe外延生长，并进行p型硼掺杂，增强器件性能。
工艺细节可见于《集成电路制造工艺与工程应用》一书中的精美插图。
SiC工艺的独特挑战与机遇
相比之下，SiC的选择性不如SiGe，它在生长过程中会在非单晶区域如侧壁和STI上扩散。SiC工艺流程大致为:
同样，先沉积SiO2作为阻挡层。
去除NMOS区域的SiO2，形成凹槽。
在NMOS源漏区进行SiC外延生长，但需留意生长控制以减少非理想生长。
尽管SiC工艺相对简单，但精确控制其生长特性至关重要。
总结与前景
相较于SMT和CESL，SiGe与SiC工艺在工艺流程上显得简洁，但它们的性能优化和应用领域的独特性不容忽视。这些技术的发展不仅推动了集成电路的性能提升，也为未来的微电子行业拓宽了可能性。探索应变硅技术的无限潜力，我们期待更多创新突破的诞生。
参考资料：
纳米集成电路制造工艺
集成电路制造工艺与工程应用
《高k栅介质SiGe+MOSFET迁移率模型及制备工艺研究》 - 道客巴巴
《延伸摩尔定律的应变硅技术》 - 道客巴巴
