光电现象光电导现象

发布网友发布时间：2024-10-14 01:26

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热心网友时间：2024-10-14 04:29

光电现象是材料在光辐射作用下，其电导发生变化的现象。通常情况下，材料在光辐射下电导增大，但也存在例外。对于导体而言，由于其电导较大，因此在光辐射下，其电导变化并不明显。而半导体材料则会发生显著变化，光电导现象成为了半导体的重要特性之一。

当半导体受到光辐射时，自由载流子（自由电子与空穴）数量增加，导致电导增大，直至电流-电压曲线达到饱和状态。自由载流子的增加是光电导现象的直接原因，这一过程受材料的能带结构和杂质等因素的影响。自由载流子的寿命决定了光灵敏度（即每一个吸收光子产生的电导变化），而寿命与载流子复合过程的性质有关。此外，半导体的光吸收特性也是决定光灵敏度的重要因素之一。

光子能量大于半导体的禁带能隙时，每个光子可以产生一个自由电荷对，即一个自由电子与一个自由空穴。如果光子能量远大于禁带能隙，一个光子可以产生多个自由电荷对。因此，光子能量对光电导现象具有显著影响，同时也决定了半导体在光辐射下的电导变化程度。

扩展资料

电磁辐射（可见光、紫外线、X 射线或γ射线）投射到物体（气、液、固）上被物体吸收，使这物体的电性质发生变化的现象。它主要包括光电效应、光电离现象、光电导现象、光生伏打效应、俄歇效应、康普顿效应、光核效应。