邹世昌的介绍
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发布时间：2024-10-16 00:23
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时间：2024-10-16 01:03
邹世昌（1931.7.27-）材料科学家，江苏太仓人。1952年毕业于交通大学唐山工学院（即唐山交通大学，现西南交通大学）。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制，并担任工艺组负责人，该成果1984年获国家发明奖一等奖。在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路，首先建立了离子背散射沟道技术，并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为，离子注入多晶硅的激光再结晶，并研制成高CMOS器件。
