邹世昌简历

发布网友发布时间：2024-10-16 00:23

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热心网友时间：2024-10-16 01:04

邹世昌，1931年7月27日生于上海市。

1949至1950年，于上海中国纺织工学院求学。

1950至1952年，转至唐山交通大学继续深造。

1952至1953年，担任中国科学院上海冶金陶瓷研究所研究实习员。

1953至1954年，赴北京俄语专修学校进行语言培训。

1954至1958年，在莫斯科有色金属学院深造。

1958至1983年，邹世昌在中国科学院上海冶金研究所任职，从助研、副研究员，到室主任、大组长，逐步晋升。

1979至1980年，受聘为西德慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所的客座教授。

1983至1997年，担任中国科学院上海冶金研究所的资深研究员及所长，领导团队进行科研活动。

1991年，邹世昌当选为中国科学院院士。

自1997年起，邹世昌继续在中国科学院上海冶金研究所担任资深研究员的职务，持续对科研工作做出贡献。

扩展资料

邹世昌（1931.7.27-）材料科学家，江苏太仓人。1952年毕业于北方交通大学唐山工学院（即唐山交通大学）。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制，并担任工艺组负责人，该成果1984年获国家发明奖一等奖。在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路，首先建立了离子背散射沟道技术，并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为，离子注入多晶硅的激光再结晶，并研制成高CMOS器件。