MOSFET结构
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发布时间：2024-10-01 14:26
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时间：2024-11-03 16:22
平面N沟道增强型MOSFET的构造特点在图1中清晰展现。首先，它以一块P型硅半导体作为基底，其表面均匀扩散了两个N型区域，如图1a所示。接着，一层二氧化硅绝缘层(SiO2)覆盖其上，见图1b，为后续电极的制作提供隔离。最后，在N型区上方，通过腐蚀技术形成两个孔，金属化工艺则用于在绝缘层上和孔内制作出三个关键电极：栅极G、源极S和漏极D，如图1d所示。
在图1所示的结构中，栅极G与漏极D以及源极S之间是绝缘的，而漏极D与源极S之间由两个PN结相连。通常，衬底和源极在内部是相连的，这构成了MOSFET的基本工作模式。
为了优化不同性能指标，如电流处理能力、电压耐受、导通电阻和开关速度等，MOSFET有不同的变体，如VMOS、DMOS和TMOS等。图3展示了N沟道增强型MOSFET的基本结构，尽管这些变体的外形可能各异，但其工作原理本质上是一致的，不再详述。
扩展资料
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
