发布网友 发布时间:2024-10-01 08:45
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热心网友 时间:2024-11-14 04:23
单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,使平面工艺得到相应的发展。如掺杂技术由扩散改为离子注入,常规紫外光刻发展到电子束曝光、等离子体刻蚀和反应离子铣,常规气相外延改为超高真空分子束外延,采用化学气相沉积制造二氧化硅和多晶硅膜等。单片集成电路除向更高集成度发展外,也正向着线性、大功率、高频电路和模拟电路方向发展。