光电导探测器通常

发布网友发布时间：2024-10-01 08:06

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热心网友时间：2024-10-01 10:06

光电导探测器，通常基于具有适当禁带宽度或杂质离化能的半导体材料，以实现光电效应。然而，制造实际应用的器件还需综合考虑性能、工艺以及成本因素。

在射线和可见光波段，常用的光电导探测器材料包括CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等；在近红外波段，则有PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等选择；而针对长于8微米波段的应用，则可考虑Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等材料。

对于CdS、CdSe、PbS等材料，其光电导探测器往往采用多晶薄膜的形式制作。这不仅能够满足特定波段的探测需求，还能够通过工艺优化提高器件性能，降低生产成本。

综上，光电导探测器的材料选择不仅需要考虑其在特定波段的光电效应，还要综合考虑实际应用中的性能、工艺以及成本因素。通过优化材料选择和制造工艺，能够有效地提升光电导探测器的性能，满足不同领域的应用需求。

扩展资料

利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。