IGBT双脉冲测试原理解析

发布网友发布时间：2024-09-26 08:07

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热心网友时间：2024-10-07 13:38

在实际应用中，对IGBT性能的评估不能仅依赖于datasheet中的静态参数，因为外部参数的个性化差异可能导致参数的不适用。这时，双脉冲测试就显得尤为重要，它能提供更为精确的性能评估。

双脉冲测试功能包括：测量动态参数如td>r、Eon、td off、tf和Eoff；判断驱动板是否提供足够驱动；评估Rgon和Rgoff选择是否恰当；检测开通和关断过程的电压尖峰，确定是否需要吸收电路；检查二极管反向恢复行为和安全裕量；以及测量母排杂散电感。

测试原理涉及高压隔离探头测量Vce和Vge，罗氏线圈测量Ic，通过示波器监控结果。IGBT在双脉冲测试中的行为包括：在第一个脉冲下导通，电感电流按比例上升；在关断时，由于杂散电感，会产生电压尖峰，此时观察IGBT关断的平顺性；IGBT再次导通时，二极管进入反向恢复，电流探头会记录到叠加的电流尖峰。

通过调整脉冲宽度，可以控制电流，观察开通和关断过程的电压尖峰，以及栅极波形的稳定性。双脉冲测试后的波形图，如Vce、Vge和Ic，提供了具体数据，用于进一步的数据分析。