单结晶体管应用
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发布时间:2024-09-26 08:10
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时间:2024-10-22 09:29
单结晶体管因其出色的脉冲电流处理能力和简单的电路结构,在开关应用中表现出广泛应用,特别是在定时电路和触发SCR等场景。其开关特性以极高的温度稳定性著称,几乎不受温度变化影响。
图4所示的单结晶体管振荡电路是一个典型的例子。在无输入信号时,电路能输出恒定频率和幅度的电压或电流信号。当电路接通电源,电容C开始充电,电压逐渐增大。当电压达到峰点电压UP时,单结晶体管进入负阻区,导致输入电阻骤降,电容迅速放电。当电压下降到谷点Uv,管子再次截止,电容重新充电,形成持续的振荡。由于充电时间常数远大于放电时间常数,电容上的电压波形如图4(b)所示。
为了确保单结晶体管在使用中的可靠性,需注意以下几点:
在第二基极B2上串联一个限流电阻R2,以*单结晶体管的峰值功率,防止过载。
当电路中的电容CT或峰值电压VP较高时,应在CT上串联保护电阻,保护发射极B1,如CT大于10μF或VP大于30V,应考虑增加适当阻值的电阻,至少每1μF电容串联1Ω电阻,避免大电容放电电流对元件造成损害。
在某些应用中,通过在基极B2或发射极E与二极管串联,可以提升温度稳定性和抵抗电源电压变化的影响。
单结晶体管和硅可控整流器的抗辐射性能较差,因此不推荐在辐射环境使用。
扩展资料单结晶体管单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图所示。
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