单结晶体管特性

发布网友发布时间：2024-09-26 08:10

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热心网友时间：2024-10-27 06:08

单结晶体管的特性主要体现在其基极电阻（Rbb）和分压比（η）上。Rbb，即第一基极b1与发射结之间的电阻rb1（随发射极电流ie变化）与第二基极b2与发射结之间的电阻rb2（与ie无关）之和，当在b2、b1间施加正电压Vbb时，A点电压VA可以通过公式VA=(rb1/rbb)vbb来计算，η的值通常在0.3到0.85之间。

图2展示了单结晶体管的伏安特性，分为几个阶段：当Ve小于ηVbb时，管子处于截止状态，电流Iceo很小；当Ve达到或超过ηVbb加上二极管的正向压降VD时，PN结导通，负阻特性显现，峰点电压Vp和峰点电流Ip是关键参数。随着Ve下降至谷点电压Vv，发射极电流Iv达到饱和，此时Vv是维持管子导通的最小电压，Ve小于Vv时，管子会重新截止。

此外，单结晶体管还具有其他重要参数：基极间电阻Rbb通常在2到10千欧范围内，受温度影响；分压比η是结构决定的常数；eb1间的反向电压Vcb1；在额定反向电压下的反向电流Ieo；以及发射极饱和压降Veo和峰点电流Ip。这些参数共同决定了单结晶体管的工作性能和稳定性。

扩展资料

单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图所示。