电迁移金属化电迁移

发布网友发布时间：2024-09-26 16:21

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热心网友时间：2024-10-04 22:19

当直流电流通过导体时，一项称为金属化电迁移的现象在金属中发生。这是一种离子迁移的过程，自1966年被发现这种现象是硅平面器件失效的主要因素以来，科学家们对此进行了深入细致的研究。

金属具有晶体结构，内部的金属离子按照特定的顺序排列。在无外部电场的情况下，离子可以通过晶体中的空位进行位置交换，这种自发的移动称为自扩散。然而，由于每个离子与相邻空位交换位置的概率相等，自扩散并不会导致质量输运。当电流通过时，电场的作用使得金属离子产生定向运动，即金属离子的迁移现象，这个过程中伴随着质量的移动。

金属电迁移失效通常是指金属层在局部区域由于金属离子的堆积形成小丘或品须，或者由于质量流失形成空洞，导致器件性能下降或失效。这种现象往往在高温和强电场环境下发生。值得注意的是，不同金属对于金属化电迁移的敏感性各不相同，这决定了它们在特定条件下的行为和稳定性。

扩展资料

电迁移通常是指在电场的作用下导电离子运动造成元件或电路失效的现象。分别为发生在相邻导体表面的如常见的银离子迁移和发生在金属导体内部的金属化电子迁移。