功率晶体管基极驱动电路常见的功率晶体管基极驱动电路

发布网友发布时间：2024-09-29 21:32

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热心网友时间：2024-10-04 09:05

在功率晶体管的控制中，基极驱动电路起着关键作用。当信号电压为高电平时，驱动晶体管G提供电流，使G工作在放大状态，大部分发射极电流成为T的基极电流，促使T进入饱和导通状态。当信号电压为低电平时，G截止，断开T的基极电流，使T停止工作。

对于大电流需求，一级驱动晶体管可能不足以驱动，这时可采用复合晶体管来增加基极驱动电流。特别在需要快速关断的场合，反向偏压基极驱动电路能缩短关断时间，图2所示的电路中，通过独立电源提供正负基极电流，使得在信号电压低时，能快速抽取负基极电流以减少关断时间。

抗饱和基极驱动电路在高频应用中更为有效，通过D1、D2等元件的控制，使T始终保持在准饱和状态，即使在深饱和时也能快速退出，从而缩短关断时间。然而，这种电路的缺点是工作时压降较高，通态损耗较大。

为了隔离控制电路和不同电位的功率晶体管，光耦合器或脉冲变压器在其中扮演隔离角色。光耦合器的光电二极管和光电三极管之间有良好的绝缘性能，使得控制电路与驱动电路间实现电位隔离，但需要注意的是，光耦合器的输出通常需要经过一级或多级放大后驱动功率晶体管。