电子背散射衍射分析技术(EBSD)应用
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发布时间：2024-09-05 07:34
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时间：2024-09-30 15:09
EBSD在织构及取向差分析中的应用尤为显著。织构分析不再局限于传统的统计方法，EBSD能够测量各取向在样品中的比例及其在显微组织中的分布，提供织构的全面信息。多晶材料在轧制变形或凝固生长等条件下，晶粒取向集中分布在某一或某些取向附近，这种择优取向称为织构。极图和反极图通过二维图形描述三维空间的取向分布，而取向分布函数图（ODF）能够表达整个空间的取向分布，更全面地判断织构类型。
EBSD技术在极图分析中显示出其独特优势。极图表示法以轧向RD、横截面方向TD和轧面法线ND为参考坐标系，通过投影各晶粒某晶面{hkl}在参考球球面上的极点，形成{hkl}极图。该技术能够直观显示样品的织构特性，如在退火后的材料中，出现强的{110}//ND 和{111}//RD织构，次强的{101}//RD 织构。
除了织构分析，EBSD还能进行晶粒尺寸及形状的分析。通过横穿试样的线扫描，观察花样变化，EBSD能够准确测量晶粒尺寸。同时，EBSD技术在晶界、亚晶及孪晶性质的分析中也展现出强大的能力。得到相邻两点之间的取向差信息后，可以深入研究各种界面的性质，如晶界、亚晶、相界、孪晶界等。
EBSD技术在相鉴定及相比计算方面也发挥着重要作用。不同物相具有不同的晶体结构，其背散射电子衍射花样特征明显，EBSD根据衍射花样的特征及标定结果，能够轻易确定物相。在采用取向成像技术进行选择物相成像时，可以清晰地显示相的分布，并计算出相的相对含量。EBSD技术在应变测量中也有出色表现，通过分析衍射花样的质量，可以定性评价应变的大小。
在与其他衍射技术的比较中，EBSD技术在进行微织构分析、微取向和晶粒取向分布测量方面具有明显优势。它能够将晶体结构及取向信息与微观组织形貌相对应，同时具有透射电镜的微区分析特点，以及X光衍射（或中子衍射）对大面积样品区域进行统计分析的特点。相比之下，X射线衍射或中子衍射无法进行点衍射分析，而SEM中的电子通道花样（SAC）和透射电子显微镜（TEM）中的微衍射（MD）则受限于样品制备及方法本身。
总之，EBSD技术以其高精度、高速度和易于样品制备的特点，成为材料科学领域中一种不可或缺的工具，能够将显微形貌、显微成分和显微取向三者集于一体，极大地便利了材料科学工作者的研究工作。
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时间：2024-09-30 15:03
EBSD在织构及取向差分析中的应用尤为显著。织构分析不再局限于传统的统计方法，EBSD能够测量各取向在样品中的比例及其在显微组织中的分布，提供织构的全面信息。多晶材料在轧制变形或凝固生长等条件下，晶粒取向集中分布在某一或某些取向附近，这种择优取向称为织构。极图和反极图通过二维图形描述三维空间的取向分布，而取向分布函数图（ODF）能够表达整个空间的取向分布，更全面地判断织构类型。
EBSD技术在极图分析中显示出其独特优势。极图表示法以轧向RD、横截面方向TD和轧面法线ND为参考坐标系，通过投影各晶粒某晶面{hkl}在参考球球面上的极点，形成{hkl}极图。该技术能够直观显示样品的织构特性，如在退火后的材料中，出现强的{110}//ND 和{111}//RD织构，次强的{101}//RD 织构。
除了织构分析，EBSD还能进行晶粒尺寸及形状的分析。通过横穿试样的线扫描，观察花样变化，EBSD能够准确测量晶粒尺寸。同时，EBSD技术在晶界、亚晶及孪晶性质的分析中也展现出强大的能力。得到相邻两点之间的取向差信息后，可以深入研究各种界面的性质，如晶界、亚晶、相界、孪晶界等。
EBSD技术在相鉴定及相比计算方面也发挥着重要作用。不同物相具有不同的晶体结构，其背散射电子衍射花样特征明显，EBSD根据衍射花样的特征及标定结果，能够轻易确定物相。在采用取向成像技术进行选择物相成像时，可以清晰地显示相的分布，并计算出相的相对含量。EBSD技术在应变测量中也有出色表现，通过分析衍射花样的质量，可以定性评价应变的大小。
在与其他衍射技术的比较中，EBSD技术在进行微织构分析、微取向和晶粒取向分布测量方面具有明显优势。它能够将晶体结构及取向信息与微观组织形貌相对应，同时具有透射电镜的微区分析特点，以及X光衍射（或中子衍射）对大面积样品区域进行统计分析的特点。相比之下，X射线衍射或中子衍射无法进行点衍射分析，而SEM中的电子通道花样（SAC）和透射电子显微镜（TEM）中的微衍射（MD）则受限于样品制备及方法本身。
总之，EBSD技术以其高精度、高速度和易于样品制备的特点，成为材料科学领域中一种不可或缺的工具，能够将显微形貌、显微成分和显微取向三者集于一体，极大地便利了材料科学工作者的研究工作。
