SK海力士HBM2E单颗16GB能做到吗?

发布网友发布时间：2024-07-21 12:01

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热心网友时间：2024-07-21 12:06

SK海力士宣布已成功大规模生产新一代HBM2E DRAM内存/显存芯片，仅耗时10个月，展现了其高效的推进速度（SK海力士在短短10个月内实现了HBM2E的大规模量产）。

HBM2E凭借其卓越性能，通过TSV硅穿孔技术将8颗16GB（2GB）芯片垂直堆叠，单颗容量提升至16GB，较上一代HBM2翻倍，甚至可扩展至12颗，单颗容量高达24GB，性能显著增强。

每个HBM2E堆栈的数据传输速率高达3.6Gbps，结合1024-bit I/O，带宽可轻松突破460GB/s，电压保持在1.2V的低耗电水平，性能表现卓越。

当四颗芯片合并时，总容量可达64GB，位宽提升至4096-bit，总带宽超过1.8TB/s，远超GDDR6的规格，展现出HBM2E的强大潜力。

HBM2E的应用前景广泛，涵盖了工业4.0、高端GPU、超级计算机、机器学习和AI等多个尖端领域（HBM2E将为这些领域提供强大的技术支撑）。

SK海力士作为HBM技术的先驱，曾由AMD显卡率先采用，例如R9 390X（SK海力士曾主导HBM技术革新，引领AMD显卡发展）。

此外，三星也在积极筹备HBM2E，而美光则透露将在年底前发布新一代HBM产品，市场竞争愈发激烈（SK海力士和竞争对手在高端市场展开激烈角逐）。