三星512GB eUFS 3.1闪存写速达1.2GB/s,是否为业内最快?

发布网友发布时间：2024-07-29 17:31

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热心网友时间：2024-08-16 21:30

三星电子引领行业潮流，推出了业内最快的UFS 3.1闪存技术，其512GB封装的eUFS 3.1闪存已进入量产阶段。这款新型闪存的写入速度达到了惊人的1.2GB/s，相比于上一代eUFS 3.0的提升幅度达到300%，远超传统PC的SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD卡（90MB/s）的性能，对于8K和5G时代的存储需求，无疑是一次飞跃性的突破。

在读取性能上，eUFS 3.1闪存的连续读取速度可达2100MB/s，随机读取速度为100K IOPS，随机写入速度更是高达70K IOPS，显示出卓越的数据处理能力。此外，三星还提供128GB和256GB两种容量选择，满足不同用户的需求。

值得注意的是，三星在中国西安的X2生产线已经开始生产第五代V-NAND（9x层）芯片，而韩国平泽市的P1线则计划转向第六代V-NAND闪存（1xx层）的生产，以适应不断增长的市场需求。尽管西部数据和铠侠（原东芝存储）也宣布了UFS 3.1闪存产品，但目前仅停留在样品阶段，尚未达到大规模生产的水平。

综上所述，三星的UFS 3.1闪存技术不仅在速度上抢占先机，而且在产能上也展现出强大的竞争力，预示着在移动设备存储领域将占据主导地位。