光刻一般的光刻工艺
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发布时间：2024-08-13 10:19
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热心网友
时间：2024-08-24 13:20
光刻工艺是一个精密的半导体制造过程，主要包括多个步骤：
硅片清洗烘干：首先，通过湿法清洗去除表面污染物，然后用氮气保护的热板进行脱水烘焙，以增强表面的疏水性。
涂底：采用气相或旋转涂底方式，确保表面均匀附着光刻胶，增强黏附性，但可能面临颗粒污染问题。
旋转涂胶：静态或动态涂覆光刻胶，关键参数包括光刻胶黏度和旋转速度，影响涂胶厚度和均匀性。
软烘：通过真空热板去除溶剂，增强光刻胶的黏附力并释放应力，同时处理边缘光刻胶问题。
对准曝光：通过预对准和对准标志确保图形与已有图形的准确匹配，曝光参数如能量和焦距影响图形质量。
曝光方法：接触式、接近式和投影式曝光，每种方法有其优缺点，如分辨率和掩膜板寿命的不同。
检测与控制：曝光过程中会使用各种检测控制芯片监控关键尺寸、颗粒、焦距等，以保证工艺精度。
后烘：通过加热减少驻波效应，并让化学增强光刻胶与保护基团反应，以便显影。
显影：采用多种方法，如浸没式、连续喷雾或水坑式，确保显影液的均匀分布和硅片表面的清洁。
硬烘：蒸发光刻胶溶剂，增强光刻胶的强度和黏附性，避免烘烤不足或过度导致的问题。
深紫外线坚膜：通过交联光刻胶形成表面硬壳，提高光刻胶在后续工艺中的稳定性。
扩展资料
光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。。
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时间：2024-08-24 13:19
光刻工艺是一个精密的半导体制造过程，主要包括多个步骤：
硅片清洗烘干：首先，通过湿法清洗去除表面污染物，然后用氮气保护的热板进行脱水烘焙，以增强表面的疏水性。
涂底：采用气相或旋转涂底方式，确保表面均匀附着光刻胶，增强黏附性，但可能面临颗粒污染问题。
旋转涂胶：静态或动态涂覆光刻胶，关键参数包括光刻胶黏度和旋转速度，影响涂胶厚度和均匀性。
软烘：通过真空热板去除溶剂，增强光刻胶的黏附力并释放应力，同时处理边缘光刻胶问题。
对准曝光：通过预对准和对准标志确保图形与已有图形的准确匹配，曝光参数如能量和焦距影响图形质量。
曝光方法：接触式、接近式和投影式曝光，每种方法有其优缺点，如分辨率和掩膜板寿命的不同。
检测与控制：曝光过程中会使用各种检测控制芯片监控关键尺寸、颗粒、焦距等，以保证工艺精度。
后烘：通过加热减少驻波效应，并让化学增强光刻胶与保护基团反应，以便显影。
显影：采用多种方法，如浸没式、连续喷雾或水坑式，确保显影液的均匀分布和硅片表面的清洁。
硬烘：蒸发光刻胶溶剂，增强光刻胶的强度和黏附性，避免烘烤不足或过度导致的问题。
深紫外线坚膜：通过交联光刻胶形成表面硬壳，提高光刻胶在后续工艺中的稳定性。
扩展资料
光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。。
