MOSFET对比

发布网友发布时间：2024-09-17 07:13

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热心网友时间：2024-09-29 07:07

MOSFET，全称为功率场效应晶体管，拥有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）三个基本极。它的主要优势在于热稳定性优良，能够承受较大的安全工作区。然而，MOSFET的缺点在于击穿电压较低，且工作电流容量相对较小。

相比之下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种更为先进的功率器件，它是在MOSFET和GTR（功率晶管）的基础上创新而来。IGBT的结构包括集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)，其显著特点是击穿电压高达1200V，这远超MOSFET。而且，它的集电极最大饱和电流已经可以达到惊人的1500A以上，这意味着IGBT在电流处理能力上具有显著提升。

在实际应用中，IGBT因其出色的性能被广泛用于变频器中，特别当其作为逆变器件时，能够驱动容量高达250kVA的系统，工作频率甚至可以达到20kHz，这无疑提升了设备的效率和性能。IGBT的这些特性使其在工业控制、电力电子等领域占据了重要地位。

扩展资料

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。