闪存芯片决定NAND型闪存的因素

发布网友发布时间：2024-08-20 12:36

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热心网友时间：2024-09-01 03:04

闪存芯片的性能和设计受到多个因素的综合影响，其中页数量、页容量、块容量、I/O位宽、工作频率以及制造工艺都起着关键作用。

首先，页数量与寻址时间呈阶梯式增长，如128Mb到512Mb的芯片寻址时间从3个周期增加到4个周期。页容量越大，一次传输数据量越多，能提高性能。例如，4Gb的闪存页容量提升至2KB，使三星K9K4G08U0M的读写性能相应提升。

页容量的提高不仅增加了容量，还优化了传输效率。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，后者读取性能提升了约20%，写入性能提升了两倍以上。块容量则决定了擦除性能，大容量闪存的块容量比小容量的快8倍。

I/O位宽的增加，如K9K4G16U0M的16条数据线，显著提升了读写速度，分别提高了近70%和16%。工作频率的提升，如从20MHz到40MHz，也可显著提高性能。

制造工艺对性能也有影响，但随着存储密度提高，一些操作时间可能增加，如写稳定和读稳定时间。虽然90nm工艺理论上可能带来性能提升，但目前实际应用中，这些固定操作时间限制了性能的同比提升。

总的来说，大容量NAND型闪存虽然寻址时间增长，但通过优化页容量和I/O位宽，仍能提供更好的传输效率。然而，工艺限制和固定操作时间使得性能提升并非线性关系，而是受到多种因素的制约。

在硬件结构上，NAND型闪存的"行地址"和"列地址"是其特有的寻址方式，通过二维化的理解，有助于直观地把握其工作原理。

扩展资料

目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"。闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具。