场效应管参数符号

发布网友发布时间：2024-09-09 22:34

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热心网友时间：2024-10-11 17:59

场效应管的参数符号代表着其各种特性的描述。以下是这些参数的详细解释：

Cds：表示漏源电容，它反映了器件在漏极和源极之间的电荷存储能力。

Cdu：是漏-衬底电容，描述了漏极与衬底之间的电容效应。

Cgd：栅-源电容，表示栅极与源极之间的电容关系。

Cgs：栅-源电容，是栅极与源极之间的控制电容，影响栅极对电流的控制能力。

Ciss、Coss、Crss：分别是栅短路共源输入电容、输出电容和反向传输电容，它们描述了场效应管在特定条件下的电容特性。

D：占空比，外电路的一个重要参数，表示脉冲信号的持续时间和间断时间的比例。

di/dt、dv/dt：电流上升率和电压上升率，反映了器件对电流和电压变化的响应速度。

ID：漏极电流，直流工作状态下的电流值。

IDM、ID(on)、IDQ：分别是脉冲漏极电流、通态漏极电流和静态漏极电流，用于描述不同工作状态下的电流特性。

IDS、IDSM、IDSS：分别是漏源电流、最大漏源电流和栅-源短路时的漏极电流，反映了电流的传输特性。

IG、IGF、IGR、IGDO、IGSO：分别是栅极电流、正向栅电流、反向栅电流、源极开路时的截止栅电流和漏极开路时的截止栅电流，体现栅极控制的效率。

Iu：衬底电流，描述衬底与漏极之间的电流关系。

其他如gfs、Gp、Gps、ggd、gds等，都是描述场效应管电导率、增益、电阻等参数的重要符号。

这些参数是理解和设计电路时必不可少的参考，它们共同决定了场效应管在各种工作条件下的性能表现和稳定性。

扩展资料

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。