IGBT场效应半导体功率器件导论作者简介
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发布时间：2024-09-08 21:35
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时间：2024-10-17 14:35
袁寿财，1963年3月出生于陕西省商洛山阳县。他于1985年在西安交通大学完成了半导体物理与器件专业的工学学士学位；随后，他在1988年在陕西微电子学研究所（位于陕西临潼）取得了VLSI研究方向的硕士学位。在学术道路上不断攀登，袁寿财于2003年在西安交通大学取得了电子科学与技术学科的工学博士学位。
目前，袁寿财担任赣南师范学院（位于江西省赣州市）物理与电子信息学院的教师。他的工作主要聚焦于半导体大功率器件、新材料新器件以及微纳电子器件与电路的研究和教学。他积极参与了多项科研项目，其中包括机械工业部的“八五”科技攻关项目、国家自然科学基金以及国家863计划等，展现了他在科研领域的深厚实力。
值得一提的是，2004年4月，他的一项创新成果“一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管的制备方法”获得了国家发明专利，这是他科研成就的重要体现。在学术论文方面，袁寿财的成果也颇为丰硕，他的论文中有4篇被SCI收录，5篇被EI收录，这进一步证明了他在学术界的影响力。
扩展资料
IGBT场效应半导体功率器件导论这本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了简单介绍。本书着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究各章后附有相关参考文献，书后还附有全书统一使用的符号表。本书可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。
