在pcb电路板制作工艺中,为何要进行曝光与显影?
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发布时间:2024-09-06 17:17
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时间:2024-11-22 12:49
在PCB电路板制作工艺中,曝光与显影为何至关重要?首先,涂胶显影设备在集成电路制造中担当关键角色,它不仅影响图案形成,还对后续蚀刻和离子注入工艺的结果有着深远影响。此类设备广泛应用于LED芯片制造、化合物半导*造、功率器件以及先进集成电路的前道晶圆加工与后道先进封装工艺。
涂胶工艺是光刻工艺的第一步,包括硅片清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干是通过湿法清洗、去离子水清洗和脱水烘焙等步骤,去除表面污染物并使基底表面变为憎水性,以增强表面黏附性。涂底工艺使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。旋涂光刻胶的厚度与曝光光源波长有关,厚度范围从I-line的0.7-3μm,到KrF的0.4-0.9μm,再到ArF的0.2-0.5μm。旋涂参数,如光刻胶黏度、旋转速度、旋转马达的精度和重复性等,都直接影响光刻胶的均匀性。
软烘工艺是在真空热板上进行,目的是除去溶剂,增强黏附性,释放光刻胶膜内的应力,防止光刻胶玷污设备。边缘光刻胶去除(EBR)是确保图形质量的关键步骤,通过化学或光学方法清除硅片边缘不均匀的光刻胶堆积。
显影工艺是将曝光后的图形转换为实际的结构。显影过程中,光刻胶的溶解度与曝光区域成正比。显影液选择和显影条件,如显影液温度、环境温度、环境湿度、显影液量、显影方式和程序等,都会影响显影效果。常见的问题包括显影不完全、显影不够、过度显影等。
硬烘工艺是通过热板加热,蒸发掉光刻胶中的溶剂,进一步增强光刻胶与硅片表面的黏附性,减少驻波效应,为后续的离子注入或刻蚀工艺做好准备。硬烘不足或过度都可能导致光刻胶强度减弱、分辨率变差等问题。
涂胶显影设备的市场潜力巨大,尤其是在国产替代方面。设备的主分系统包括涂胶系统、运动控制系统、温控系统、显影系统、显影运动控制系统、显影温控系统、真空系统、腔室温湿度控制系统和光刻胶温度及流量控制系统。这些系统的硬件与软件的研发与优化,为国内企业提供了广阔的发展机遇。