半导体MOS管数据知多少?
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发布时间：2024-09-29 02:27
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时间：2024-09-30 02:49
极限参数，即绝对最大额定参数，确保MOS管在任何使用情况下均不超出下限，否则有损坏风险。
VDS表示漏极与源极间最大可施加电压，VGS表示栅极与源极间最大可施加电压。ID是漏极可承受的持续电流，IDM表示单次脉冲电流强度极限，超过此值可能引发击穿。
EAS单脉冲雪崩击穿能量值，若电压过冲未超过击穿电压，则器件免受雪崩击穿，EAS标定安全吸收反向雪崩击穿能量的能力。
PD最大耗散功率，MOS管性能不变坏时允许的最大漏源耗散功率，使用时务必注意实际功耗低于此值，并留有余地。
TJ与Tstg规定器件工作和存储环境的结温范围，确保在允许温度区间内工作，可大幅延长使用寿命。
dV/dt反映器件承受电压变化速率能力，越大越佳，高dv/dt带来电压尖峰与较差的EMI特性，可通过系统电路修正。
热阻衡量热传导难易程度，越小散热性能越好，热阻分为沟道-环境与沟道-封装两部分。
△VDS/TJ表示漏源击穿电压的温度系数，正温度系数下，稳定性越高。
VGS(th)是MOS开启电压，NMOS在VGS超过此值时导通。
IGSS表示栅极驱动漏电流，越低对系统效率影响越小。
IDSS表示漏源漏电流，栅极电压为0时的漏源电流，通常在微安级别。
RDS(ON)是MOS导通电阻，导通电阻越小，损耗越低，温升也越低，在大功率电源中，导通损耗占主要比例。
gfs反映栅极电压对漏源电流控制能力，过大导致关断过快，EMI特性差；过小则关断速度降低，关断能力减弱。
Ciss输入电容，影响MOS开关时间，值越大开关时间越慢，损耗越大。
Coss输出电容，Crss反向传输电容，影响MOS关断时间，Cgd对雷击测试有影响。
Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off）、tf等参数与时间相关，开关速度快，损耗小，效率高，温升低，但EMI特性差。
IS、ISM如果过小，有电流击穿风险。
VSD、trr过大可能导致桥式或LCC系统损耗过大，温升过高。
Qrr与充电时间成正比，越小越好。
输出特性曲线描述电流与电压关系，受结温影响，数据手册通常列出两种温度下的特性曲线。
根据输出特性曲线，取Uds特定点，通过作图法得到转移特性曲线，可以观察到Uds为特定值时，Id与Ugs的关系。
MOS导通电阻随结温升高呈正温度系数变化，数据手册通常绘有当VGS=10V时，导通电阻随温度变化的曲线。
电容容量值小，栅极总充电电量QG小，开关速度快，开关损耗小，适用于开关电源DC/DC变换器等。
MOS管通常包含一个寄生二极管，提供保护，特性与普通二极管相同，具有正向导通特性。
最大安全工作区是电压与电流坐标点形成的二维区域，MOS管工作时电压与电流须在此区域内，超出即存在风险。
综上所述，MOS管参数众多，通常在一般应用中，关注漏源击穿电压、持续电流、导通电阻、最大耗散功率、开启电压与工作温度范围等参数即可满足需求。
