半导体只读存储器结构

发布网友发布时间：2024-09-27 17:55

共1个回答

热心网友时间：2024-10-18 17:37

半导体只读存储器的存储单元基于半导体器件，如二极管、双极型晶体管或MOS晶体管，它们位于字线和位线的交叉点。以增强型N沟道MOS晶体管为例，栅引出线连接到字线，漏引出线则接位线，源引出线接地。当字线处于高电平时，晶体管导通，位线输出低电平（逻辑“0”）。若交叉点未连接晶体管，位线会被负载晶体管拉至高电平（逻辑“1”）。非选中的字线保持低电平，确保其他存储单元不受影响。

只读存储器存储的数据内容取决于制造过程中的掩模，因此也被称为掩模只读存储器。大部分只读存储器是用户特定的，如字符发生器等少数例外，可通用。为了方便用户并适应大规模生产，可编程只读存储器应运而生。其设计是每个存储单元（如肖特基二极管）串联一个熔丝。正常状态下，熔丝作为导线。当加大偏压时，熔丝会熔断，允许用户自行编写并储存数据。

然而，可编程只读存储器的写入*为每个单元只能写入一次，这带来不便。为解决这个问题，可擦可编程只读存储器（EPROM）诞生。例如，采用浮栅雪崩注入MOS单元。通过在源或漏引出线加高电压使器件击穿，热电子注入悬浮栅改变沟道状态实现写入。而擦除过程则通过紫外光照射，电子获得能量穿透氧化层，使浮栅去电，从而完成擦除。

扩展资料