单电子晶体管的历史

发布网友发布时间：2022-05-10 00:29

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热心网友时间：2023-10-15 00:52

第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成[1]。典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。

参考资料：http://ke.baidu.com/view/908011.htm?fr=ala0_1

热心网友时间：2023-10-15 00:53

50年代美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。
到了70年代，晶闸管已经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件
电力电子器件的功率也越来越大，性能日益完善。
但是由于晶闸管的固有特性，工作频率较低(一般低于400Hz)，大大*了它的应用范围，并且由于其固有的特性，比如关断这些器件，必须要有强迫换相电路，使得整体体积增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。
目前，国内生产的电力电子器件仍以晶闸管为主，其中的一些中低档产品业已成熟，并有相当的批量出口
从70年代后期开始，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化。
此后各种高频率的全控型器件不断问世，主要有: 电力场控晶体管(即功率MOSFET)、绝缘栅极双极晶体管(IGT或IGBT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)等，这些器件的产生和发展，已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。
由于全控型器件可以控制开通和关断，大大提高了开关控制的灵活性。

热心网友时间：2023-10-15 00:53

1986年，D.V.Averin和K.K.Likharev首次提出了Coulomb阻塞的电荷量子化效应；
1987年，T.A.Fulton和G.L.Dolan首次实验成功了单电子晶体管。