特征频率双极型晶体管
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发布时间:2024-10-08 15:31
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时间:2024-12-04 08:20
BJT的特征频率ft,即共发射极放大器在电流放大系数│β│下降至1时的频率,也被称为晶体管的增益-带宽乘积。这个频率可以通过低频时的β值βo和截止频率fβ来计算,当频率高于fβ时,│β│f = βo fβ = ft。因此,测定高频下│β│值,即可得知ft的值。
ft的表达式可通过电子从发射极到集电极的有效渡越时间τec来理解,即ft = (2πτec)^(-1),其中τec由多个部分组成,如发射结充电时间τE、基区渡越时间τB(与中性区电子移动相关)、移除电荷所需时间τD和集电结充电时间τC。决定ft的主要因素通常包括τB和结电容,特别是集电结电容。
为了提高BJT的特征频率,有以下策略:在ft较低时,应优先考虑减小基区宽度(通过浅结工艺和薄基区设计)以及增大基区电场因子η,通过增加基区掺杂浓度和提高杂质分布的陡峭度来增强发射效率。然而,过高的掺杂浓度可能反而减小扩散电子系数,因此η一般控制在3~6之间。
当ft较高,基区宽度减小,需要考虑更多因素,如减小发射结的动态电阻(增加集电极电流)、降低势垒电容(减小发射结面积)、减小集电结势垒厚度(优化集电区电阻率)以及降低集电极串联电阻rC和集电结势垒电容Cjc,以优化晶体管在高频工作条件下的性能。