杂质半导体可以分为哪两种?

发布网友 发布时间：2022-05-07 05:41

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热心网友 时间：2023-10-17 09:37

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。

扩展资料：

能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。

例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。

施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。

热心网友 时间：2023-10-17 09:37

N型半导体、P型半导体。

1、N型半导体　在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。

2、在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置。

扩展资料

属性：

1、电荷中立的条件：如果导带中的电子浓度为n，价带中的空穴浓度为p，电离的施主浓度为ND，电离的受主浓度为NA，则满足以下电荷中性条件。

2、载流子密度：

考虑所有掺杂杂质被离子化的情况。导带中的电子浓度n，价带中的空穴浓度p和非退化半导体的本征载流子密度ni之间具有以下关系。

参考资料来源：百度百科-杂质半导体

热心网友 时间：2023-10-17 09:38

1.N型半导体 在本征半导体硅(或锗)中通过半导体工艺掺入微量的五价元素(如磷)

热心网友 时间：2023-10-17 09:38

 如果在本征半导体硅(或锗) 中掺入微量 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等, 由于杂质原子的最外层有 5 个价电子，当其中的 4 个与硅原子形成共价键时, 就会有多余的 1 个价电子。这个电子只受自身原子核的吸引，不受共价键的束缚, 室温下就能变成自由电子, 如图 2. 2 ( a ) 所示。磷(或锑、砷)原子失去一个电子后, 成为不能移动的正离子。掺入的杂质元素越多，自由电子的浓度就越高，数量就越多。并且在这种杂质半导体中, 电子浓度远远大于空穴浓度。因此，电子称为多数载流子(简称多子) ，空穴称为少数载流子( 简称少子)。在外电场的作用下, 这种杂质半导体的电流主要是电子电流。由于电子带负电荷, 因此这种以电子导电为主的半导体称为N 型半导体。

热心网友 时间：2023-10-17 09:37

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。

扩展资料：

能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。

例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。

施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。

热心网友 时间：2023-10-17 09:37

N型半导体、P型半导体。

1、N型半导体　在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。

2、在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置。

扩展资料

属性：

1、电荷中立的条件：如果导带中的电子浓度为n，价带中的空穴浓度为p，电离的施主浓度为ND，电离的受主浓度为NA，则满足以下电荷中性条件。

2、载流子密度：

考虑所有掺杂杂质被离子化的情况。导带中的电子浓度n，价带中的空穴浓度p和非退化半导体的本征载流子密度ni之间具有以下关系。

参考资料来源：百度百科-杂质半导体

热心网友 时间：2023-10-17 09:38

1.N型半导体 在本征半导体硅(或锗)中通过半导体工艺掺入微量的五价元素(如磷)

热心网友 时间：2023-10-17 09:38

 如果在本征半导体硅(或锗) 中掺入微量 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等, 由于杂质原子的最外层有 5 个价电子，当其中的 4 个与硅原子形成共价键时, 就会有多余的 1 个价电子。这个电子只受自身原子核的吸引，不受共价键的束缚, 室温下就能变成自由电子, 如图 2. 2 ( a ) 所示。磷(或锑、砷)原子失去一个电子后, 成为不能移动的正离子。掺入的杂质元素越多，自由电子的浓度就越高，数量就越多。并且在这种杂质半导体中, 电子浓度远远大于空穴浓度。因此，电子称为多数载流子(简称多子) ，空穴称为少数载流子( 简称少子)。在外电场的作用下, 这种杂质半导体的电流主要是电子电流。由于电子带负电荷, 因此这种以电子导电为主的半导体称为N 型半导体。