经典图文,带你一文搞懂MOS管!!

发布网友发布时间：2024-10-04 17:05

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热心网友时间：2024-11-26 15:42

在绝缘栅型场效应管中，MOSFET，即金属一氧化物-半导体场效应晶体管，通常由金属铝与半导体间的二氧化硅绝缘层构成。了解MOSFET的各个极性极为关键。

极性识别直截了当，G极易于辨识。不论是P沟道还是N沟道，两根线交汇的便是S极。单独引线的一端则是D极。箭头指向G极表示N沟道，箭头背离G极表示P沟道。N沟道从S极指向D极，P沟道则从D极指向S极。

识别技巧在于：N沟道或P沟道MOS管中，中间衬底箭头与寄生二极管箭头方向总是一致的。这一特征在图片中清晰标示，便于观察。

N沟道的导通条件为Ug>Us，Ug=Us时，MOS管处于截止状态。P沟道的导通条件则相反。

MOS管作为开关器件使用时，输入和输出端不能接反，否则寄生二极管将一直处于导通状态，MOS管失去开关功能。

使用万用表的二极管档位进行测量，有助于快速识别MOS管类型。将红表笔连接至D极或S极，黑表笔连接至相对的极，测量二极体值。低于0.7V表示N沟道，高于1.2V则为P沟道。

通过测量DS极之间寄生二极管的导通方向，即可判断MOS管为N沟道或P沟道。实际上，判断依据是测量该寄生二极管的导通方向。

N沟道MOS管在P型半导体硅衬底上制作，包含高浓度N区电极D和S，以及栅极G。在两极间覆盖二氧化硅绝缘层后，再装上铝栅极，形成N沟道增强型MOS管。P沟道MOS管则在N型半导体硅衬底上制作，通过相同的工艺制作P区和栅极，形成P沟道增强型MOS管。二者皆在漏极和源极间形成两个背靠背的PN结。

增强型MOS管的漏极D和源极S之间存在电场，其导通特性基于栅极电压VGS。当VGS=0时，即使加上VDS，一个PN结仍处于反偏，没有电流流过。当VGS增加，VGS大于开启电压VT（通常约为2V）时，N沟道开始导通，形成漏极电流ID，开启电压VT是MOS管开始导通时的栅-源极电压。

MOS管有N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管四种类型，每类又分为增强型和耗尽型，根据其工作原理和特性进行区分。