半导体物理入门到精通——Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构

发布网友发布时间：2024-10-03 23:07

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热心网友时间：2024-10-11 14:25

欢迎交流，半导体中的电子状态（五）：Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构

Ⅲ-Ⅴ族化合物具有闪锌矿结构，为混合键型晶体，含有共价键与离子键。晶体结构与金刚石相似，具有相同的布里渊区。

能带结构方面，价带为简并状态，包含重空穴带、轻空穴带及自旋-轨道耦合分裂的第三带。价带顶在k=0处附近，与金刚石结构不同。

对于InSb，其价带顶偏离布里渊区中心0.3%，可近似认为位于k=0处，形成直接带隙。而Si则为间接带隙，价带顶与导带底分别位于布里渊区中心与偏离中心位置。

具体能带结构如下：
- InSb：直接带隙结构，适用于制作红光二级管。
- GaAs、GaP与InP：具有不同能带结构，适用于制作不同波长的光电器件。
- 混合晶体如GaAs与GaP，通过混晶比例x的不同，能带结构与禁带宽度变化，用于红光二级管制作。

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