制备单质硅的主要化学反应如下:①SiO2+2C 高温 . Si+2CO↑ ②Si+2Cl2...

②Si+2Cl2 高温 . SiCl4 反应前后硅元素化合价升高，被氧化； ③SiCl4+2H2 高温 . Si+4HCl，反应前后硅元素化合价降低，被还原；故C错误；D、反应①产物Si中含有杂质，是工业上制粗硅的反应，通过反应②③可以提纯硅，故D正确；故选C．

介电常数，简称ε，是衡量材料在电场中电介质性能的重要物理量。它描述了材料对电场的响应能力，定义为电位移D与电场强度E之比，即ε=D/E。介电常数越大，材料在电场中的极化程度越高，存储电荷能力越强。在电子和电气工程领域，介电常数对于理解和设计电容器、电缆、绝缘材料等至关重要。通过测量和分析介电常数，可以深入了解材料的电学性质，为产品研发和应用提供有力支持。矢量网络分析 (VNA) 是最重要的射频和微波测量方法之一。 创远信科提供广泛的多功能、高性能网络分析仪（最高40GHz）和标准多端口解决方案。创远信科的矢量网络分析仪非常适用于分析无源及有源器件，比如滤波器、放大器、混频器及多端口模块。 ...

置换反应全部都是氧化还原反应，而有单质参加的化合反应也是氧化还原反应。所以①②③都是氧化还原反应。B对。两种或两种物质反应生成一种物质的反应叫化合反应。所以②是化合反应。C对。反应物失去电子，所含元素化合价升高的叫被氧化。①③中Si元素的化合价是降低的，是被还原。只有②中Si化合价升高，说...

制备硅单质时,主要化学反应如下:(1)SiO2+2C=Si +2CO↑ (2) Si + 2Cl2=SiCl4 (3)SiCl4+ 2H2=Si + 4HCl

属于置换反应，②是化合反应，故A正确；B．氧化还原反应中，还原剂的还原性大于还原产物的还原性，①、③反应可说明焦炭与氢气的还原性均强于硅，故B正确；C．Si原子核外最外层有4个电子，一般表现为+4价，所以任一反应中，

且Si元素的化合价升高，Si被氧化，故B错误；C．有2.8 g Si反应或生成，n（Si）=0.1mol，转移电子为0.1mol×（4-0）=0.4mol，三个反应转移的电子数均为0.4 NA，故C正确；D．反应③中，Si元素的化合价由+4价降低为0，转移4e-，H失去电子，图中方向、数目均错误，故D错误；故选C．

制备硅单质时,主要化学反应如下:(1)SiO2+2C=Si(粗)+2CO↑ (2)Si + 2Cl2=SiCl4 (3)SiCl4+ 2H2=Si（精）+ 4HCl 第一个反应中有碳不好分离，第三个方程式是提炼高纯硅 SiO2+C=Si+2CO SiCl4+2H2=Si+4HCl

第一种。SiO2 + 2C = Si + 2CO↑ Si + 2Cl2 = SiCl4 SiCl4 + 2H2 = Si +HCl 条件都是高温 第二种.将细砂粉（SIO2）与镁粉混和，制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和硅化镁，可用盐酸除去。SIO2+2MG=SI+2MGO(条件：高温) 2MG+SI=MG2SI （条件：高温)mg+2hcl=mgcl2+...

转发：在从沙子（二氧化硅）中制取高纯硅的过程中，关键的化学反应方程式包括以下几个步骤：1. SiO2 + 2C → Si + 2CO↑ 这是将二氧化硅与碳反应，生成粗硅和一氧化碳的步骤。碳作为还原剂，将二氧化硅中的硅还原为粗硅。2. Si + 2Cl2 → SiCl4 随后，粗硅与氯气反应，生成四氯化硅。这一...

用焦炭与石英砂（SiO2）混合高温，产生粗硅。（SiO2+2C=高温=Si+2CO↑）将粗硅与氯气高温，生成四氯化硅。（Si+2Cl2=高温=SiCl4）将氢气与四氯化硅高温，生成单晶硅。（SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl）

硅单质的实验室制法：粗硅的制取：SiO2 + 2C 高温电炉 Si + 2CO （石英沙）（焦碳）（粗硅）粗硅转变为纯硅：Si（粗）+ 2Cl2 △ SiCl4 SiCl4 + 2H2 高温 Si（纯）+ 4HCl 2C+ SiO2 = 2CO↑ + Si (加热)Si +O2 = SiO2(加热)2F2+ Si== SiF4 Si + 4HF== SiF4↑+2H2↑ ...