约翰·巴丁和谁一起共同研究半导体锗和硅的物理性质?

发布网友发布时间：2024-10-02 05:35

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热心网友时间：2024-10-21 05:37

早年，约翰·巴丁和肖克莱、布拉坦一起，共同研究半导体锗和硅的物理性质。肖克莱于1939年提出“利用半导体而不用真空管的放大器在原则上可行的”。布拉坦和巴丁在开始研究晶体三极管时，采用了肖克莱的场效应概念，但实验屡遭失败。两人在总结经验教训的同时，巴丁又提出了表面态理论。巴丁将他的理论运用到了试验中，他在锗晶体上放置了一枚固定针和一枚探针，利用加上负电压的探针来检查固定针附近的电位分布。当巴丁将探针向固定针靠近到0．05毫米处时，突然发现，改变流过探针的电流能极大地影响流过固定针的电流。这一意外的发现，使他们意识到，这个装置可以起放大作用。