IRFZ44N基本参数

发布网友发布时间：2024-10-02 06:45

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热心网友时间：2024-10-26 01:40

IRFZ44N是一款N沟道的MOSFET晶体管，它专为高电流应用设计。这款单晶体管器件具有卓越的性能，其最大漏极电流可达49安培（Id），支持高达55伏特的电压（Vds）。在理想的条件下，其开态电阻（Rds(on)）仅为0.024欧姆，显示出极低的导通电阻。

对于栅极电压，IRFZ44N的最高允许值是2.1伏特（Vgs）。在正常使用时，其功耗为83瓦（W），采用TO-220AB封装，适合3针脚设计，器件标记为IRFZ44NPBF，引脚间的节距为2.54毫米。在满功率工作状态下，它在25°C的温度下运行，保证了良好的热管理。

在连续工作电流（Id连续）上，它支持41安培，而在脉冲模式下，峰值电流（Idm脉冲）可达160安培。值得注意的是，这款晶体管是通孔安装的，适合表面安装设备（SMD）的布局。其阈值电压（Vgs th）的典型值为4伏特，确保了良好的开关性能。