uvled原理
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发布时间:2024-10-06 00:29
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时间:2024-12-15 00:34
UVLED的发光机理基于PN结的基本原理。当PN结施加正向电压时,势垒下降,电子和空穴在势垒两侧扩散。由于电子的迁移率高于空穴,大量电子注入P区,与价带上的空穴复合,释放出光能,形成发光现象。这种电光转换过程是UVLED光源的核心原理。
UVLED的发光效率受内外量子效率影响。内部量子效率由组件材料、结构等决定,早期主要通过优化垒晶质量和结构来提高,理论极限接近70%。然而,外部量子效率的提高还需要关注取出效率,如通过TIP结构和表面粗化技术来减少光子损失。
UVLED作为电流控制器件,其电气特性表现为正向导通时电流变化剧烈,反向漏电流小,有反向击穿电压。在使用时,需要选择合适的正向电压,同时注意温度对电压的影响,因为正向电压随温度升高而减小。UVLED功率消耗部分转化为光能,其余转化为热能,热量散发需通过散热设计进行管理。
UVLED的光学特性表现为单色光带宽大,随温度升高,峰值波长增长,即红移。光亮度与电流正相关,但受环境温度影响,温度高时,光亮度和一致性会下降。热学特性上,大功率UVLED的散热和均匀性在高温下尤为关键。
UVLED的寿命评估不仅关注灯的物理损坏,更需以光衰减百分比衡量,如35%的衰减率,这更能体现其实际使用寿命。大功率UVLED封装中,散热和出光是关键,例如采用铜基热衬和铝基散热器配合,以及芯片倒装和增加反射面以提高出光效率。