DRAM将进入3D时代?230层堆栈,容量可提升8倍!

发布网友发布时间：2024-10-08 01:43

共1个回答

热心网友时间：2024-10-27 06:04

DRAM技术似乎正准备迎接3D时代的革新。NAND Flash已经成功迈入3D堆叠的高维空间，美光的232层产品已投入量产，显著提升了存储容量并降低了单位比特成本。然而，DRAM在2D技术上的发展相比之下显得滞后，单位比特成本的降低速度较慢。

美国NEO半导体公司最近宣布了一项突破，他们开发出全球首款3D DRAM技术——3D X-DRAM，旨在解决内存容量密度的瓶颈。NEO半导体的创新采用基于无电容器浮栅极（FBC）的3D单元阵列结构，利用现有3D NAND工艺，仅需额外一层光罩，便可实现高速、高密度存储，且成本可控。

NEO公司承诺，首代3D X-DRAM将采用230层堆栈，核心容量高达128Gb，相较于目前的16Gb，容量提升高达8倍。他们计划在2025年推出，目标每10年将容量提升8倍，预计到2035年可达1Tb，与目前的NAND闪存相比，容量将增加64倍。

行业专家Andy Hsu乐观地认为，3D X-DRAM将是半导体行业增长的关键动力，其技术将对AI应用，如ChatGPT，提出的需求作出响应。与传统2D架构相比，3D架构为DRAM带来的优势，如Network Storage Advisors总裁Jay Kramer所强调，将有助于推动行业的进一步发展。

然而，NEO面临的挑战在于缺乏自己的晶圆厂，他们计划通过合作生产，可能与三星、SK海力士等大厂合作。公司融资和管理层的信息也相对有限，但其专利申请显示了其技术的创新性。

尽管如此，DRAM的3D化面临着英特尔Optane 3D XPoint技术曾遭遇的挑战，如成本和编程复杂性。NEO半导体的3D X-DRAM能否实现大规模生产并降低成本，业内分析师Jim Handy表示，如果能使用已知的材料和工艺，前景看好。但涉及新材料的挑战可能会影响时间表。

总结来说，NEO的3D DRAM技术有可能带来显著的成本和性能提升，但其实际应用和市场接受度还有待时间和市场验证。不过，无论是密度提升还是功耗优化，这项技术都显示出对解决未来内存需求的潜力。