半导体材料问题,为什么晶体管要少子长寿命,开关器件少子要短寿命_百度...

P区空穴为多数载流子电子为少数载流子，N区电子为多数载流子空穴少数载流子，不能说晶体管就是少子器件。

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少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的...

晶体管DB3是双向触发二极管。DB3工作原理：二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互...

比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子,对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反,产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值,...

少子扩散长度：是指在半导体材料中，少数载流子在一定的温度和掺杂浓度条件下，由于扩散作用而能够传播的平均距离。

绝缘栅双极晶体管缩写IGBT IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,...

主要是受多子影响。半导体禁带宽度小，受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子，导电性能提高，所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的重要性是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元...

所以叫非平衡少子，由于集电结反偏，促进这些非平衡少子运动，产生了集电极的主要电流。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

多数载流子，少数载流子，它们都承担着传递电流的作用，载流子（电荷）的定向运动，产生了电流。具体来说，不同的半导体器件，有的是多数载流子其主要作用，有的又是少数载流子起重要作用。所以半导体器件，又分为多子器件和少子器件。你比如说，双极型器件，如BJT，PiN二极管，这些都是少数载流子器件。特点是...

一、单极型晶体管 单极型晶体管，如金属-氧化物-半导体（MOS）晶体管，仅依赖一种载流子运作。在这种晶体管中，由于场效应的作用，半导体材料中的多数载流子（电子或空穴）负责主要导电功能。因此，这类晶体管被称为单极型晶体管。二、双极型晶体管 双极型晶体管，全称为双极型三极管（BJT），是一种固体...