基于STM32单片机+RT9193-33 LDO的电源设计方案
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发布时间：2024-10-03 17:03
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时间：2024-10-03 17:49
电源方案中，RTC电源管脚为V BAT，工作电压范围1.8~3.6V，主要用于RTC时钟的供电。在单片机应用中，RTC常用于实现低功耗设备的定时唤醒功能。VDD为数字电源，工作电压范围同V BAT，内部集成了电压转化器，将VDD稳压至1.2V，数据手册推荐使用11个100nF和4.7uF电容，但实际应用中，每个VDD只需加入一个100nF的去耦电容即可。
模拟电源部分包括V_DDA，用于芯片模拟器件供电，例如PLL锁相环和ADC、DAC模数数模转化器供电。VREF为ADC和DAC的参考电压，建议直接与VREF连接，但在某些微弱信号的模拟电路中，应接电压基准芯片以确保参考电压的稳定性。数据手册建议在VDDA加入一个10nF和1uF的电容，实际设计中使用10uF+100nF的电容，而VREF也是建议使用10nF+1uF，采用10uF+100nF。
在TYPE-C电路设计中，使用6P的type-c接口，仅用于供电。需注意USB外壳管脚处理，连接器的金属外壳与板子GND之间应接入大电阻（一般为1M）进行隔离，防止静电损坏板子。此外，还需加入肖特基二极管用于防反接、防倒灌设计，以提高LDO的效率，并防止电流倒灌。
LDO RT9193-33电路设计中，考虑到核心板体积要求，选择小封装LDO。电源输入级采用先大后小结构，大电容用于储能滤波，小电容去除高频噪声。输出电源也采用大小结构，数据手册要求至少接入4.7uF的电容，实际设计中采用10uF电容，再配合去除高频噪声的电容。电源输出端加入了电源指示灯电路，以直观显示电源状态。
在设计模拟电源π形滤波电路时，磁珠具有在低频时等效为0R电阻，在高频时表现为电感的特性，同时磁珠具有吸收电磁干扰并将其转换成热能的功能。π型滤波电路采用磁珠进行隔离，确保模拟电路的稳定供电。
RTC电源滤波电路设计中，需注意电容的选择。由于RTC用于低功耗场合，通常电流在uA级别，电容的漏电也会对RTC功耗产生影响。通常只需加入一个100nF的电容即可满足需求。
数字电源滤波电路设计中，数据手册推荐使用11个100nF和一个4.7uF的电容，但在实际设计中，可以简化为每个VDD放置一个去耦电容。
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时间：2024-10-03 17:50
电源方案中，RTC电源管脚为V BAT，工作电压范围1.8~3.6V，主要用于RTC时钟的供电。在单片机应用中，RTC常用于实现低功耗设备的定时唤醒功能。VDD为数字电源，工作电压范围同V BAT，内部集成了电压转化器，将VDD稳压至1.2V，数据手册推荐使用11个100nF和4.7uF电容，但实际应用中，每个VDD只需加入一个100nF的去耦电容即可。
模拟电源部分包括V_DDA，用于芯片模拟器件供电，例如PLL锁相环和ADC、DAC模数数模转化器供电。VREF为ADC和DAC的参考电压，建议直接与VREF连接，但在某些微弱信号的模拟电路中，应接电压基准芯片以确保参考电压的稳定性。数据手册建议在VDDA加入一个10nF和1uF的电容，实际设计中使用10uF+100nF的电容，而VREF也是建议使用10nF+1uF，采用10uF+100nF。
在TYPE-C电路设计中，使用6P的type-c接口，仅用于供电。需注意USB外壳管脚处理，连接器的金属外壳与板子GND之间应接入大电阻（一般为1M）进行隔离，防止静电损坏板子。此外，还需加入肖特基二极管用于防反接、防倒灌设计，以提高LDO的效率，并防止电流倒灌。
LDO RT9193-33电路设计中，考虑到核心板体积要求，选择小封装LDO。电源输入级采用先大后小结构，大电容用于储能滤波，小电容去除高频噪声。输出电源也采用大小结构，数据手册要求至少接入4.7uF的电容，实际设计中采用10uF电容，再配合去除高频噪声的电容。电源输出端加入了电源指示灯电路，以直观显示电源状态。
在设计模拟电源π形滤波电路时，磁珠具有在低频时等效为0R电阻，在高频时表现为电感的特性，同时磁珠具有吸收电磁干扰并将其转换成热能的功能。π型滤波电路采用磁珠进行隔离，确保模拟电路的稳定供电。
RTC电源滤波电路设计中，需注意电容的选择。由于RTC用于低功耗场合，通常电流在uA级别，电容的漏电也会对RTC功耗产生影响。通常只需加入一个100nF的电容即可满足需求。
数字电源滤波电路设计中，数据手册推荐使用11个100nF和一个4.7uF的电容，但在实际设计中，可以简化为每个VDD放置一个去耦电容。
