硅材料主要技术参数
发布网友
发布时间：2024-10-05 14:35
共1个回答
热心网友
时间：2024-10-14 14:25
硅材料的核心技术参数涉及多个方面，这些参数对于其性能和应用至关重要。
首先，硅单晶的导电类型是由施主或受主杂质的掺入决定的。P型硅晶通常通过掺入硼来实现，而N型硅晶则通过掺入磷来获得，外延片衬底则常用N型单晶掺杂锑或砷以控制导电性质。
电阻率与均匀度是硅单晶的重要特性。在晶体生长过程中，通过掺入杂质来调节电阻率，但不可避免地会出现杂质分布不均的情况，导致电阻率的不均匀性。这包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。这些均匀度直接影响器件的一致性和生产成功率。
非平衡载流子寿命是衡量硅单晶内部杂质对电子和空穴影响的一个重要指标。当光照或电注入产生额外的电子和空穴时，它们会快速复合消失。这个寿命值与器件的放大性能、反向电流和开关特性紧密相关。同时，纯度越高，非平衡载流子寿命通常越长，重金属杂质的引入会显著降低其寿命值。
最后，晶向与晶向偏离度描述的是单晶硅晶体的生长轴与晶向之间的角度关系。常用的主要晶向有(111)和(100)。晶向偏离度的精确控制对于晶体的性能和器件的性能一致性至关重要。
扩展资料
重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
