低温多晶硅型TFT激光退火

发布网友发布时间：2024-10-05 10:20

共1个回答

热心网友时间：2024-10-21 15:30

低温多晶硅型TFT激光退火是一种创新的制程技术，其核心在于将整个TFT的制造过程保持在相对较低的温度，通常低于450℃，以避免对玻璃基板造成过高的热负荷。在这个工艺中，通常使用的非晶硅薄膜在低温下会呈现出结构混乱且充满缺陷的状态。

激光退火环节至关重要，其目标是将非晶硅转化为多晶硅。在这个阶段，选择激光的特定波长至关重要。该波长需要既能被非晶硅薄膜吸收，又不会被基板的二氧化硅吸收，这样可以在低温条件下进行，同时保护玻璃基板免受损害。激光的能量被非晶硅吸收后，通过精确的热处理过程，非晶硅薄膜得以有序结晶，从而转变为高质量的多晶硅薄膜。

这种低温多晶硅型TFT激光退火技术，不仅提高了生产效率，降低了能耗，还确保了产品的高质量，对于优化TFT制造工艺并降低生产成本具有显著作用。